Festkörperphysik
Praktika zur Vermittung grundlegender Eigenschaften von Festkörpern und die Fähigkeit festkörperphysikalische Modellsysteme auf konkrete Anwendungen, unter anderem in der modernen Halbleiter-Prozesstechnik und Sensorik anzuwenden.
Kurzbeschreibung
Untersuchung der strukturellen, optischen und magnetischen / elektrischen Eigenschaften der festen Materie. Schwerpunkt: Materialwissenschaftliche Analytik und Charakterisierung von Halbleiterkristallen und -nanostrukturen. Tiefe Temperaturen.
Räume: D208, D209
Telefon: -3633, -3664
- FTIR-Spektrometer (Absorption/Reflexion, 12000 - 100 cm-1, 4 - 300 K)
- Photolumineszenz (600 - 1700 nm, 7 - 300 K)
- Röntgendiffraktometrie (2-Kreis-Goniometer)
- Halleffekt (0 - 4 T, 300 - 400 K)
- Bestimmung von I-U- und C-U-Kennlinien
- Kapazitätstransienten-Spektroskopie (DLTS, 77 - 300 K)
- Tunnelmikroskopie (Lehraufbau)
- Bestimmung magnetischer Größen
- Oberflächenabtastverfahren
- Probenpräparation (Sägen, Schleifen, Polieren)
Infrarotabsorptionsmessungen (FTIR)an Defekten in Halbleitern (Si, GaAs, u. a.)
Photolumineszenzmessungen an Halbleitern und Halbleiter-Heterostrukturen
Zeitaufgelöste Kapazitätsmessungen an Metall-Halbleiter-Grenzschichtstrukturen
FCM - Freiberger Compound Materials: Sauerstoffkorrelierte Defekte in halbisolierendem Galliumarsenid
Siltronic: Optische Spektroskopie an Stickstoff-Sauerstoff-Komplexen in Silizium
Wacker Chemie: Infrarotoptisches Messverfahren zur Bestimmung von Kohlenstoff in polykristallinem Silizium
DFG- und BMBF-Projekte (Schwerpunkt: Defektanalytik in Halbleitern) unter Beteiligung von Partnern aus der Industrie (FCM, Infineon, MEMC, Siltronic, Wacker Chemie).