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Auszeichnung für Double Degree Student Sebastian Obernberger
Vortrag zum Einsatz resistiver Schalter in Zufallsgeneratoren wurde am Partnerinstitut in Kanada prämiert
04/04/2024
Seit Herbst 2023 können Studierende des Masters Mikro- und Nanotechnik einen Double Degree erwerben: das erste Jahr verbringen sie an der Hochschule München, das zweite Jahr beim Partner INRS (l’Institut national de la recherche scientifique, Centre Énergie Matériaux Télécommunications) in Kanada. Sebastian Obernberger ist einer der ersten Studenten, der am Programm teilnimmt und hat nun einen Preis vom INRS für den besten Vortrag bei der Vorstellung der Masterarbeiten erhalten. Wir gratulieren herzlich!
Titel der Präsentation war Period-doubling bifurcations as route to chaos in resistively switching Hf0.5Zr0.5O2 thin films. Im Rahmen seiner Arbeit untersucht Sebastian Obernberger den potentiellen Einsatz von resistiven Schaltern, die an sich in Datenspeicherzellen eingesetzt werden, als Random-Number-Generator.
Mit dem zunehmenden Interesse der Industrie, der Forschung und der politischen Entscheidungsträger an Wachstumsbereichen der Informationstechnologie wie Künstliche Intelligenz, Quantencomputing und Quantenkryptographie steigt auch der Bedarf an elektronischer Infrastruktur. Zum Beispiel werden neue Typen von "neuromorphen" Speicherzellen entwickelt, die als künstliche Synapsen in einem künstlichen neuronalen Netzwerk eingesetzt werden können. Dies ist möglich aufgrund ihrer "spike-timing-abhängigen Plastizität", die bis jetzt nur ineffizient in Computern mit von-Neumann-Architektur simuliert wurden. In der Arbeitsgruppe rund um Prof. Ruediger am INRS werden periodenverdoppelnde Bifurkationen in solchen auf ReRAM (Resistive Random-Access Memory) basierenden neuromorphen Zellen beobachtet. In seiner Arbeit stellt Sebastian Obernberger RF-Magnetron-gesputterte TiN/Hf0,5Zr0,5O2 (HZO)/Au-Kondensatoren her und analysiert ihr Schaltverhalten. Er untersucht resistives Schalten durch die Bildung und den Rückzug eines leitfähigen Filaments in HZO und durch die Modulation der Tunnelbarriere durch den Tunneling Electroresistance Effect (TER), um energiedissipative Effekte abzuleiten, die zu einer negativen Rückkopplungsschleife in der "spike-timing-abhängigen Plastizität" führen.
In seiner Präsentation konnte Sebastian Obernberger sowohl die Theorie auch für Fachfremde erläutern, als auch die Theorie mit ersten Versuchsergebnissen belegen. In weiteren Versuchen soll das Materialsystem auf seine Schalteigenschaften und Langlebigkeit untersucht werden.
Wir wünschen weiterhin viel Erfolg!